上海临港新片区发布集成电路产业专项规划(2021-2025)。规划提出，推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设，面向5G、新能源汽车等应用场景，加快化合物半导体产品验证应用。
第三代半导体材料主要有四类，包括1)SiC；2)III族氮化物(典型代表GaN)；3)宽禁带氧化物(典型代表ZnO)；4)金刚石。机构指出，第三代半导体核心难点在材料制备，其他环节可实现国产化程度非常高，加持国家在政策和资金方面大力支持。行业技术追赶速度更快、门槛准入较低、国产化程度更高，中长期给国内功率半导体企业、衬底材料供应商带来更多发展空间确定性更强。
据财联社主题库显示，相关上市公司中：
露笑科技已实现6英寸碳化硅衬底片试生产，另公司自主研发的碳化硅长晶炉已实现销售，下游客户已陆续投产。
海特高新硅基氮化镓产品已经实现规模出货，公司的客户主要为芯片设计公司和模组公司。
上海临港新片区发布集成电路产业专项规划(2021-2025)。规划提出，推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设，面向5G、新能源汽车等应用场景，加快化合物半导体产品验证应用。
第三代半导体材料主要有四类，包括1)SiC；2)III族氮化物(典型代表GaN)；3)宽禁带氧化物(典型代表ZnO)；4)金刚石。机构指出，第三代半导体核心难点在材料制备，其他环节可实现国产化程度非常高，加持国家在政策和资金方面大力支持。行业技术追赶速度更快、门槛准入较低、国产化程度更高，中长期给国内功率半导体企业、衬底材料供应商带来更多发展空间确定性更强。
据财联社主题库显示，相关上市公司中：
露笑科技已实现6英寸碳化硅衬底片试生产，另公司自主研发的碳化硅长晶炉已实现销售，下游客户已陆续投产。
海特高新硅基氮化镓产品已经实现规模出货，公司的客户主要为芯片设计公司和模组公司。
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