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黄仁勋发声力挺内存!存储芯片多股获融资客逆势加仓(名单)

东方财富研究中心

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  英伟达CEO黄仁勋发声,称到2029年内存供应过剩的可能性不大,HBM将持续得到应用。多家机构指出,AI带动的存储需求正呈非线性爆发,行业景气有望延续。
  黄仁勋:2029年内存过剩可能性不大
  过去一周,存储芯片股因市场担忧供应过剩和需求疲软而遭遇抛售。英伟达首席执行官黄仁勋周四在柏林GTC大会期间接受采访时明确表示,到2029年出现内存供应过剩的可能性不大。
  "内存很棒的一点是,你永远可以用得更多。"黄仁勋补充称,HBM(高带宽内存)未来数年会持续得到应用,英伟达还是全球首家将LPDDR内存引入数据中心的公司,能效达到目前全球任何方案的两倍。
  在此之前,韩国一家知名媒体发表专栏文章,援引专家观点称"到2029年超级周期可能结束,行业可能进入低迷期",存储芯片股因此遭遇重挫,闪迪、SK海力士、美光科技等海外存储龙头均大幅下跌。
  值得注意的是,海外原厂财报印证了需求的韧性。美国存储大厂西部数据公布的第一财季财报显示,净营收43.8亿美元,同比增长55%,超出市场预期;调整后每股收益4.64美元,同样高于预期。
  国产存储的突破也为板块注入新动能。长鑫科技近期4F2架构取得关键进展,新一代DDR5 RDIMM计划年底推出;据Counterpoint Research估算,其全球DRAM营收份额已从2025年二季度的4%提升至2026年二季度的10%,位列全球第四。
  存储量价齐升窗口延续
  存储芯片是半导体存储器的核心,主要分为DRAM(动态随机存取存储器)与NAND Flash(闪存)两大类,广泛用于手机、电脑、服务器和数据中心。在AI算力需求爆发的背景下,推理端存储需求快速释放,行业正处在量价齐升的上行窗口。
  申万宏源研究所分析指出,半导体存储量价齐升,推理端DRAM供不应求,价格站上近三年高位,是算力产业链中景气度最确定的方向之一。
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