(左三:华灿光电与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心)
实际上,早在2020年,华灿光电就已经布局第三代半导体GaN器件研发和制造项目。GaN电力电子器件与 LED 芯片技术部分相通性,华灿光电依托过去LED 芯片在 GaN 材料与器件领域的技术积累,立足GaN 研发和制造基础和客户基础,聚焦智能手机、汽车、数据中心等领域对 GaN 功率器件的市场需求,为客户提供高性价比的 GaN 功率器件产品及应用支持,向化合物半导体的多元化产品领域拓展。
在研发资源整合方面,除此次与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心外,华灿光电还成立了珠海华发华灿先进半导体研究院、浙江省第三代半导体重点实验室、博士后工作站、企业研究院等研发机构,将各类研发资源整合,着眼于化合物半导体前瞻性技术研发。
在技术研发方面,目前华灿光电的GaN 电力电子器件外延片已达到国内先进水平,芯片相关工艺完成阶段性开发,6英寸硅基GaN电力电子器件工艺已通线,100mm栅宽D-Mode 器件静态参数对标国际市场已达标。
6月25日,国家第三代半导体技术创新中心(以下简称“国创中心”)发展战略研讨会暨第一届技术专家委员会在苏州举行。会议向华灿光电与国创中心共建的微显示LED技术联合研发中心授牌,华灿光电首席技术官王江波博士入选第一届技术专家委员。
(左三:华灿光电与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心)
实际上,早在2020年,华灿光电就已经布局第三代半导体GaN器件研发和制造项目。GaN电力电子器件与 LED 芯片技术部分相通性,华灿光电依托过去LED 芯片在 GaN 材料与器件领域的技术积累,立足GaN 研发和制造基础和客户基础,聚焦智能手机、汽车、数据中心等领域对 GaN 功率器件的市场需求,为客户提供高性价比的 GaN 功率器件产品及应用支持,向化合物半导体的多元化产品领域拓展。
在研发资源整合方面,除此次与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心外,华灿光电还成立了珠海华发华灿先进半导体研究院、浙江省第三代半导体重点实验室、博士后工作站、企业研究院等研发机构,将各类研发资源整合,着眼于化合物半导体前瞻性技术研发。
在技术研发方面,目前华灿光电的GaN 电力电子器件外延片已达到国内先进水平,芯片相关工艺完成阶段性开发,6英寸硅基GaN电力电子器件工艺已通线,100mm栅宽D-Mode 器件静态参数对标国际市场已达标。
在项目建设方面, GaN 基电力电子器件的研发与制造项目尚在建设,项目建成后,华灿光电将实现GaN功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链,进而可以快速推进GaN功率器件的大规模产业化。
据《第三代半导体产业技术发展报告》预测,2024年我国第三代半导体电力电子器件应用市场规模将近200亿元,未来5年复合增长率超过40%。随着国家政策支持、产业合力创新以及下游产业带动下,未来第三代半导体行业技术及产品创新也将不断迎来突破,更多像华灿光电积极建立技术和市场护城河的企业,也将迎来新的发展机遇。
